SIM-SD二合一卡技术亮点:双卡融合与存储扩容方案

SIM/SD二合一卡技术通过创新电路设计和协议融合,在标准SIM卡尺寸内实现双卡功能与存储扩展,显著提升设备空间利用率,支持最高1TB存储容量,适用于智能手机、物联网等场景。

双卡融合技术

通过创新式电路设计,在标准Nano SIM卡尺寸内集成SD存储控制器,实现通信模块与存储模块的物理层融合。该技术突破传统单卡单功能限制,主要特点包括:

SIM-SD二合一卡技术亮点:双卡融合与存储扩容方案

  • 共享触点复用技术
  • 智能信号切换机制
  • ISO/IEC 7816与SD协议兼容

存储扩容方案

采用先进存储堆叠工艺,在有限空间内实现最高1TB容量扩展。存储分区方案支持:

  1. 动态容量分配
  2. 独立加密分区
  3. 热插拔兼容性

技术实现原理

通过硬件抽象层实现双协议栈并行处理,关键参数对比如下:

技术参数对比表
指标 传统方案 本技术
读写速度 90MB/s 150MB/s
功耗 200mW 120mW

应用场景分析

特别适用于空间受限的移动设备

  • 超薄智能手机
  • 可穿戴设备
  • 物联网终端

优势对比

相较传统双卡槽方案,本技术实现:

  1. 节省30%主板空间
  2. 降低15%硬件成本
  3. 延长20%待机时间

该技术突破物理空间限制,通过创新架构设计实现通信与存储功能的深度整合,为移动设备小型化发展提供关键技术支持,已获得包括3GPP在内的国际标准组织认可。

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