SIM卡制作工艺流程概述
SIM卡制造包含基材制备、芯片封装、触点镀层三大阶段。典型工艺流程如下：
- PET/PVC基板切割成型
- 芯片模块焊接定位
- 导电触点电镀处理
- 激光蚀刻个性信息
- 成品功能测试
核心材料选择标准
基板材料需满足耐温、抗弯折等要求：
| 材料 | 耐温范围 | 弯曲寿命 |
|---|---|---|
| PVC | -20°C~70°C | 5000次 |
| ABS | -40°C~85°C | 10000次 |
| PC | -60°C~120°C | 15000次 |
芯片封装关键技术
采用COB（Chip On Board）工艺实现高密度集成：
- 金线键合精度需达到±5μm
- 环氧树脂封装厚度≤0.3mm
- 热压焊接温度控制200±5°C
生产优化方案
通过以下措施提升良品率：
- 引入AOI自动光学检测系统
- 优化电镀液配方提升触点导电性
- 采用模块化生产单元缩短换型时间
质量控制与测试
终端测试包含：
- 电气性能测试：接触电阻≤50mΩ
- 机械强度测试：500g压力持续60s
- 环境试验：85°C/85%RH老化测试
通过材料科学改进与智能生产工艺的结合，现代SIM卡制造已实现微米级精度控制，持续推动物联网设备小型化发展。
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